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    bios怎么設(shè)置內(nèi)存

    時間: 楚煥725 分享

    bios怎么設(shè)置內(nèi)存

      關(guān)于bios怎么設(shè)置內(nèi)存的問題,這在網(wǎng)上經(jīng)常被人提及,那么下面就由學(xué)習(xí)啦小編來給你說說bios設(shè)置內(nèi)存的方法吧!希望你們喜歡!

      bios設(shè)置內(nèi)存的方法:

      CMOS中關(guān)于內(nèi)存的設(shè)置比較多,但不少選項是比較專業(yè)的,因此,如果設(shè)置后出現(xiàn)問題,請選擇“LOADBIOSDEFAULTS”,恢復(fù)可靠的設(shè)置參數(shù)。下面逐條說明相關(guān)內(nèi)存設(shè)置。

      Above1MBMemoryTest:設(shè)置開機自檢時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌,電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加,開機時的大容量內(nèi)存自檢時間太長,今后,即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。

      AutoConfiguration:設(shè)置為允許時,BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動設(shè)置內(nèi)存定時,因此會禁止一些對內(nèi)存設(shè)置的修改,建議選擇允許方式。

      MemoryTestTickSound:是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。

      MemoryParityErrorCheck:設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代,已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強行進行奇偶校驗設(shè)置會使電腦無法開機。

      CacheMemoryController:是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。

      ShadowRAMOption:設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中。可以加快速度,但也可能造成死機。

      InternalCacheMemory:是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。

      ExternalCacheMemory:是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)??梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn),使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

      ConcurrentRefresh:直譯是同時發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時刷新,可以提高系統(tǒng)性能。

      DRAMReadWaitState:設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

      DRAMWriteWaitState:設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

      SlowRefresh:對質(zhì)量好的內(nèi)存,保持?jǐn)?shù)據(jù)的時間比較長,可以設(shè)置更長的時間周期,從而提高系統(tǒng)性能。

      ShadowCachecable:把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOSROM增加高速緩存,使性能更進一步。

      PageMode:使內(nèi)存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

      RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內(nèi)存RAS周期,因此采用計數(shù)器來監(jiān)視RAS周期,一旦超過RAS周期,則將周期自動復(fù)位為0。

      MemoryRelocation:內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(UpperMemoryBlock)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲到1MB以上的擴展內(nèi)存中。

      MemoryHole:有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用,可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止,除非ISA擴展卡有專門的說明。

      DRMATimingSetting:快頁內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置,通常是60ns或70ns選擇,對10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。

      
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